信誉百家乐-威尼斯百家乐-威尼斯真人百家乐

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 统包效劳
非表现驱动IC产物,如Power IC、RFIC等,根据客户的产物种别以及差别的封装方法 (SOT、SOP、DFN、QFN、LGA等),提供厚铜重新布线(Thick Cu RDL),铜柱凸块(Cu Pillar Bump,CPB) 制程效劳。厚铜重新布线(Thick Cu RDL)制程,是大电流Power IC产物低落产物Rdson,提拔带载才能最为经济无效的方案,颀中科技同时可提供Thick Cu RDL、以及Power IC的CP测试效劳。铜柱凸块(Cu Pillar Bump,CPB)制程,是大电流Power IC进一步低落产物Rdson、减少芯片封装尺寸的开始进的封装方法,也是RFIC低落寄生电阻和寄生电感,提拔产物功能的最佳选择。颀中科技与协作厂商一同为客户提供从Cu Pillar Bump、减薄划片、覆晶封装到终极测试的完好流程,并将完成的产物送至客户指定所在。
颀中科技在2019年Q3,新增“晶圆级晶片尺寸封装WLCSP”的统包效劳,可为客户提供更美满的晶圆级加工选项。
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 特点
厚铜重新布线(Thick Cu RDL):  
厚铜制程次要使用在Power IC等产物上,需求在Foundry fab 之后,接纳Thick Cu RDL将产物线路布线及功用进一步优化,搭配后续传统封装厂的打线(Wire bonding)工艺,封装成SOT、SOP、DFN以及QFN等方式停止出货。 
铜柱凸块(Cu Pillar Bump,CPB):  
铜柱凸块制程次要使用在Power IC以及RFIC等产物上,接纳Cu Pillar工艺,可以大幅低落IC的寄生电阻、电容及电感,提拔客户产物的各项功能,如IC的导通电阻、电源转换服从、芯片反响速率等。搭配后续的覆晶(Flip chip)封装工艺,封装成SOT、SOP、DFN、QFN以及LGA等方式停止出货。
晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)
晶圆级芯片尺寸封装(Wafer Level Chip Scale Packaging)是先在整片晶圆上停止封装和测试,然后经切割并将IC间接用机台以pick up & flip方法将其安排于Carrier tape中,并以Cover tape维护好后,提供后段SMT (Surface Mounting technology)运用。
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 产物使用面
※ 厚铜重新布线(Thick Cu RDL)   
  1. 电源办理IC(Power IC)   
  2. 音频缩小器(Audio PA)   
  3. 分立器件(Discrete Device)   
  4. 微机电零碎(MEMS)   
※ 铜柱凸块(Cu Pillar Bump,CPB)   
  1. 电源办理(Power IC)   
  2. 射频芯片(RF IC)   
  3. 基带芯片(Base Band)   
  4. 功率缩小器(Power Amplifier)   
  5. 使用处置器(Application processor)   
  6. 高脚数逻辑IC (High Pin Logic)   
  7. 影象体及举动安装 (Memory & Mobile) 
※ 晶圆级晶片尺寸封装(WLCSP)  
  1. 电源类IC (PMIC/PMU, DC/DC converters, MOSFET’ s,...)
  2. 光电元器件
  3. 网通元器件 (Bluetooth, WLAN)
  4. 其他使用 (FM, GPS, Camera) 
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 消费流程简介

※ Thick Cu RDL 产物消费流程

 

※ Cu Pillar Bump 产物消费流程 

        

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 次要效劳项目
※ Thick Cu RDL
※ Cu Pillar Bump
※ Solder Bump / Solder Ball Drop
※ CP testing, Program debug
※ Wafer Grinding, Dicing, Laser grooving
※ Tape & Reel
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